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MMUN2233LT1G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, Sencillo, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2233LT1G
No. Parte Newark84K8803
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| 100+ | $0.055 |
| 250+ | $0.048 |
| 500+ | $0.041 |
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2233LT1G
No. Parte Newark84K8803
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSencillo, NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R14.7
Resistencia R2 Base Emisor47
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia400
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza MMUN2233LT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El MMUN2233LT1G es un transistor NPN de la serie MMUN2233L con un transistor digital de red de resistencia de polarización monolítica. Está diseñado para reemplazar un solo dispositivo y su red de polarización de resistencia externa. El transistor de resistencia de polarización (BRT) contiene un solo transistor con una red de polarización monolítica que consta de dos resistencias; una resistencia base en serie y una resistencia base-emisor. El BRT elimina estos componentes individuales al integrarlos en un solo dispositivo. El uso de un BRT puede reducir tanto el costo del sistema como el espacio a bordo.
- Simplifica el diseño de circuitos, reduce el espacio en la tarjeta y reduce el número de componentes
- El voltaje de la base del colector es de 50VCD máx. (TA = 25°C, común para Q1 y Q2)
- El voltaje colector-emisor es 50 VCC máx. (TA = 25 °C, común para Q1 y Q2)
- La corriente del colector: continua es de 100mAcd máx. (TA = 25 °C, común para Q1 y Q2)
- El voltaje directo de entrada es 30VCD máx. (TA = 25 °C, común para Q1 y Q2)
- El voltaje inverso de entrada es de 5VCD máx. (TA = 25 °C, común para Q1 y Q2)
- La disipación total del dispositivo es de 230mW máx. (TA = 25 °C)
- La ganancia de corriente CD es 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25 °C)
- Rango de resistencia de entrada de 3.3 a 6.1kohm (TA = 25 °C, común para Q1 y Q2)
- Paquete SOT-23, rango de temperatura de unión de -55 a +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Sencillo, NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
4.7
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
47
No. de Pines
3 Pines
Disipación de Potencia
400
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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