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MMUN2211LT1G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, Sencillo, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2211LT1G
No. Parte Newark
Hilado completo94W9040
Cinta adhesiva88H4911
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
24,082 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.135 |
| 25+ | $0.086 |
| 50+ | $0.071 |
| 100+ | $0.055 |
| 250+ | $0.048 |
| 500+ | $0.041 |
| 1000+ | $0.036 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.029 |
| 6000+ | $0.027 |
| 12000+ | $0.026 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2211LT1G
No. Parte Newark
Hilado completo94W9040
Cinta adhesiva88H4911
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSencillo, NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R110kohm
Resistencia R2 Base Emisor10kohm
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The MMUN2211LT1G from On Semiconductor are NPN digital transistor in 3 pin SOT-23 (TO−236) package. Digital transistor is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design
- Compact board space
- Reduced component count
- AEC-Q101 qualified
- Base input resistor is 10Kohm
- Base emitter resistor is 10kohm
- Collector emitter voltage VCEO of 50VDC
- Continuous collector current of 100mAdc
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Sencillo, NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
10kohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
10kohm
No. de Pines
3 Pines
Disipación de Potencia
400mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMUN2211LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
