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MMUN2112LT1G
TRANSISTOR, RF, PNP, 50V, SOT-23-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2112LT1G
No. Parte Newark03AJ2270
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMUN2112LT1G
No. Parte Newark03AJ2270
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R122kohm
Resistencia R2 Base Emisor22kohm
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
22kohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
22kohm
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
400mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
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RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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