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MMBTA55LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL PURPOSE, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTA55LT1G
No. Parte Newark31Y2756
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente del Colector Continua500mA
Disipación de Potencia300mW
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Corriente del Colector Continua
500mA
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Disipación de Potencia
300mW
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
50MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBTA55LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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WARNINGProposition 65