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MMBT5087LT1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 50 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5087LT1G.
No. Parte Newark26AC2255
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua50
Corriente de Colector DC50mA
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Corriente de Colector DC
50mA
Disipación de Potencia
300
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Corriente del Colector Continua
50
Disipación de Potencia Pd
300mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Frecuencia de Transición
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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