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MMBT2222AWT1G
TRANS BJT IND, NPN, 40V, 600MA
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| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MMBT2222AWT1GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 36 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)04X6453RL Cinta adhesiva04X6453 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.180 | $0.18 |
| Total Precio | $0.18 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.180 |
| 50+ | $0.115 |
| 100+ | $0.073 |
| 250+ | $0.064 |
| 500+ | $0.054 |
| 1000+ | $0.048 |
| 2500+ | $0.047 |
| 5000+ | $0.046 |
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Información del producto
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MMBT2222AWT1GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 36 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)04X6453RL Cinta adhesiva04X6453 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | NPN |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 40 |
| Corriente de Colector DC | 0 |
| Corriente del Colector Continua | 600 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Disipación de Potencia | 150 |
| Diseño de Transistor | SOT-323 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| No. de Pines | 3Pines |
| Frecuencia de Transición | 300 |
| Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín. | 35 |
| Ganancia de Corriente DC hFE | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Norma de Cualificación Automotriz | 0 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
The MMBT2222AWT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Package saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | NPN |
|---|---|
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 40 |
| Corriente del Colector Continua | 600 |
| Disipación de Potencia | 150 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Frecuencia de Transición | 300 |
| Ganancia de Corriente DC hFE | 0 |
| Rango de Producto | - |
| Norma de Cualificación Automotriz | 0 |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
|---|---|
| Corriente de Colector DC | 0 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Diseño de Transistor | SOT-323 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín. | 35 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBT2222AWT1G
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |