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MMBT2222ALT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT2222ALT1G
No. Parte Newark84K8795
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT2222ALT1G
No. Parte Newark84K8795
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente del Colector Continua600
Disipación de Potencia225
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBT2222ALT1G es un transistor bipolar NPN de silicio diseñado para usarse en aplicaciones de conmutación y montaje superficial lineal de baja potencia.
- Sin Halógenos/libre de BFR
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Corriente del Colector Continua
600
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35
Rango de Producto
Serie MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Disipación de Potencia
225
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBT2222ALT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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