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MMBF4392LT1G
Transistor JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4392LT1G
No. Parte Newark58M9131
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.425 |
| 10+ | $0.278 |
| 25+ | $0.255 |
| 50+ | $0.232 |
| 100+ | $0.209 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4392LT1G
No. Parte Newark58M9131
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero75
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pines
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
75
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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WARNINGProposition 65