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MMBF170LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF170LT1G
No. Parte Newark88H4781
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd225mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia225mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza MMBF170LT1G
2 productos encontrados
Resumen del producto
El MMBF170LT1G es un MOSFET de potencia de canal N con voltaje de fuente de drenaje a 60 VCD y corriente de drenaje a 500 mA.
- Calificado AEC-Q101
- Capaz de PPAP
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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