Imprimir página
MMBF170LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF170LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante47 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88H4781RL
Cinta adhesiva88H4781
Su número de pieza
3,089 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.286 | $0.29 |
| Total Precio | $0.29 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.286 |
| 50+ | $0.178 |
| 100+ | $0.115 |
| 250+ | $0.102 |
| 500+ | $0.088 |
| 1000+ | $0.079 |
| 2500+ | $0.077 |
| 5000+ | $0.076 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF170LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante47 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88H4781RL
Cinta adhesiva88H4781
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd225mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia225mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBF170LT1G es un MOSFET de potencia de canal N con voltaje de fuente de drenaje a 60 VCD y corriente de drenaje a 500 mA.
- Calificado AEC-Q101
- Capaz de PPAP
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBF170LT1G
3 productos encontrados
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto