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MJW3281AG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark50AC6116
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor230
Corriente del Colector Continua15
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-247
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.12
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
230
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
12
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
15
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
TO-247
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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