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MJW21196G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJW21196G
No. Parte Newark04R7663
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.380 |
| 10+ | $4.000 |
| 25+ | $3.980 |
| 60+ | $3.960 |
| 120+ | $3.930 |
| 270+ | $3.910 |
| 510+ | $3.390 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJW21196G
No. Parte Newark04R7663
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor250
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua16
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.20
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
20
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250
Corriente del Colector Continua
16
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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