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MJL21194G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJL21194G
No. Parte Newark38K5626
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJL21194G
No. Parte Newark38K5626
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor250
Corriente del Colector Continua16
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-264
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición4
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
16
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-264
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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