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MJE4343G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 160 V, 16 A, 125 W, TO-218, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE4343G
No. Parte Newark26K4463
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.920 |
Precio para:Cada
Mínimo: 90
Múltiple: 30
$622.80
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE4343G
No. Parte Newark26K4463
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor160
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo160V
Corriente del Colector Continua16
Disipación de Potencia125
Disipación de Potencia Pd125W
Corriente de Colector DC16A
Ganancia de Corriente DC hFE1hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-218
Frecuencia de Transición1
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
160V
Disipación de Potencia
125
Corriente de Colector DC
16A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-218
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
160
Corriente del Colector Continua
16
Disipación de Potencia Pd
125W
Ganancia de Corriente DC hFE
1hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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