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MJE253G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio,
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE253GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark58M9095
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.951 |
| 10+ | $0.780 |
| 100+ | $0.560 |
| 500+ | $0.497 |
| 1000+ | $0.447 |
| 2500+ | $0.380 |
| 10000+ | $0.372 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE253GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark58M9095
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia15W
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-225
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Disipación de Potencia
15W
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-225
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
40MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJE253G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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