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MJE15029G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE15029G
No. Parte Newark71J5861
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120V
Voltaje Máx. Colector a Emisor120
Corriente del Colector Continua8
Corriente de Colector DC8A
Disipación de Potencia Pd50W
Disipación de Potencia50
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJE15029G es un transistor de potencia bipolar de 8A PNP diseñado para usarse como un controlador de alta frecuencia en amplificadores de audio.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120
Corriente de Colector DC
8A
Disipación de Potencia
50
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120V
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia Pd
50W
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-220
Frecuencia de Transición
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJE15029G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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