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MJD42CT4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD42CT4G
No. Parte Newark47Y8095
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.619 |
| 10+ | $0.588 |
| 25+ | $0.556 |
| 50+ | $0.525 |
| 100+ | $0.493 |
| 250+ | $0.453 |
| 500+ | $0.413 |
| 1000+ | $0.383 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD42CT4G
No. Parte Newark47Y8095
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua6
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia20
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.15
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
20
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
15
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Corriente del Colector Continua
6
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Alternativas para el número de pieza MJD42CT4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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RoHS
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RoHS
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