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MJD31T4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, PNP, 40 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD31T4G
No. Parte Newark09R9438
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN, PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia15
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN, PNP
Corriente del Colector Continua
3
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Disipación de Potencia
15
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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