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MJD243G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD243G.
No. Parte Newark26AC2115
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD243G.
No. Parte Newark26AC2115
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia Pd1.4W
Disipación de Potencia1.4
Corriente de Colector DC4A
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Disipación de Potencia Pd
1.4W
Corriente de Colector DC
4A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia
1.4
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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