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MJD210RLG
TRANSISTOR, PNP, -25V, -5A, TO-252
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD210RLG
No. Parte Newark14AC4576
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.642 |
| 25+ | $0.568 |
| 50+ | $0.492 |
| 100+ | $0.418 |
| 250+ | $0.371 |
| 500+ | $0.322 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD210RLG
No. Parte Newark14AC4576
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor25V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua5A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia12.5W
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición65MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10hFE
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25V
Corriente del Colector Continua
5A
Disipación de Potencia
12.5W
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
65MHz
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD210RLG
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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