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MJD200T4G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD200T4G.
No. Parte Newark27AC8951
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD200T4G.
No. Parte Newark27AC8951
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Corriente del Colector Continua5
Disipación de Potencia Pd12.5W
Disipación de Potencia12.5
Corriente de Colector DC5A
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE70hFE
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición65
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Disipación de Potencia Pd
12.5W
Corriente de Colector DC
5A
Ganancia de Corriente DC hFE
70hFE
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Corriente del Colector Continua
5
Disipación de Potencia
12.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
65
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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