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MJD200T4G
TRANS, BIPOL, NPN, 25V, TO-252
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD200T4G
No. Parte Newark27AC8950
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.818 |
| 10+ | $0.553 |
| 25+ | $0.501 |
| 50+ | $0.449 |
| 100+ | $0.397 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD200T4G
No. Parte Newark27AC8950
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor25V
Corriente del Colector Continua5A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia12.5W
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición65MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25V
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
5A
Disipación de Potencia
12.5W
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
65MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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