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MJD122T4G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122T4GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo45J1481
Re-reeling (Rollos a medida)10N9469
Cinta adhesiva10N9469
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.230 | $1.23 |
| Total Precio | $1.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $1.030 |
| 25+ | $0.926 |
| 50+ | $0.836 |
| 100+ | $0.734 |
| 250+ | $0.659 |
| 500+ | $0.547 |
| 1000+ | $0.530 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.547 |
| 3000+ | $0.537 |
| 6000+ | $0.505 |
| 12000+ | $0.480 |
| 18000+ | $0.455 |
| 30000+ | $0.440 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122T4GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo45J1481
Re-reeling (Rollos a medida)10N9469
Cinta adhesiva10N9469
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia Pd20
Frecuencia de Transición4
Corriente de Colector DC8
Disipación de Potencia20
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE1000
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJD122T4G es un transistor Darlington de potencia bipolar 8A NPN diseñado para amplificador de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Es el reemplazo de montaje en superficie para las series 2N6040 a 2N6045, series TIP120 a TIP122 y series TIP125 a TIP127.
- Punta formada para aplicaciones de montaje en superficie en mangas de plástico
- Construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas
- Los pares complementarios simplifican los diseños.
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Disipación de Potencia Pd
20
Corriente de Colector DC
8
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Corriente del Colector Continua
8
Frecuencia de Transición
4
Disipación de Potencia
20
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE
1000
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD122T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto