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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD112T4G
No. Parte Newark81Y6792
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD112T4G
No. Parte Newark81Y6792
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia0
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
Diseño de Transistor
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD112T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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