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MJB44H11G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 100+ | $0.886 |
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| 1000+ | $0.653 |
| 2500+ | $0.638 |
| 10000+ | $0.622 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB44H11G.
No. Parte Newark27AC8946
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua10
Disipación de Potencia50
Disipación de Potencia Pd50W
Corriente de Colector DC10A
Ganancia de Corriente DC hFE60hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJB44H11G es un transistor de potencia complementario NPN de 80 V diseñado para amplificación y conmutación de potencia de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
- Voltaje de saturación de colector a emisor bajo (VCE (sat) = 1 V máximo a 8 A)
- Velocidades de conmutación rápidas
- Los pares complementarios simplifican los diseños.
- Clasificación ESD - modelo de cuerpo humano 3B<gt/> 8000V, modelo de máquina C<gt/> 400V
- Voltaje de emisor a base (VEBO) de 5V
- Resistencia térmica de 2.5°C/W, de unión a carcasa
- Resistencia térmica de 7.5°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia
50
Corriente de Colector DC
10A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
10
Disipación de Potencia Pd
50W
Ganancia de Corriente DC hFE
60hFE
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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