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MJ4502G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ4502G
No. Parte Newark59AC7151
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente del Colector Continua30
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-204AA
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines2Pines
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The MJ4502G is a PNP Silicon High-Power Transistor for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100W music power per channel. This transistor is complement to the NPN MJ802 transistor.
- High DC current gain
- Excellent safe operating area
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Disipación de Potencia
200
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
2Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
30
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-204AA
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65