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MJ15023G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio,
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ15023GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark38K5640
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.590 |
| 10+ | $6.850 |
| 25+ | $6.200 |
| 50+ | $5.810 |
| 100+ | $5.430 |
| 250+ | $4.520 |
| 500+ | $4.390 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ15023GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark38K5640
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor200V
Corriente del Colector Continua16A
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-3
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines2Pines
Frecuencia de Transición4MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
200V
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
2Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
16A
Disipación de Potencia
250W
Diseño de Transistor
TO-3
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
4MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJ15023G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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