Imprimir página
MJ11033G
Transistor Darlington, Darlington, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, TO-3, 2 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11033GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark26K4508
Su número de pieza
Disponible para pedido
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.310 |
| 10+ | $9.960 |
| 25+ | $9.580 |
| 50+ | $9.190 |
| 100+ | $8.810 |
| 250+ | $8.630 |
| 500+ | $8.460 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.31
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11033GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark26K4508
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120
Voltaje Máx. Colector a Emisor120V
Corriente del Colector Continua50A
Disipación de Potencia Pd300
Frecuencia de Transición-
Corriente de Colector DC50
Disipación de Potencia300W
Encapsulado de Transistor RFTO-3
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorTO-3
Ganancia de Corriente DC hFE18000
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.18000hFE
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MJ11033G es un transistor de potencia Darlington de silicio complementario PNP para su uso como dispositivos de salida en aplicaciones de amplificación de propósito general complementarias. Este transistor presenta una construcción monolítica con una resistencia de derivación de emisor de base incorporada.
- Alta ganancia de Corriente de CD
- Protección de diodos para CI nominal
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120V
Disipación de Potencia Pd
300
Corriente de Colector DC
50
Encapsulado de Transistor RF
TO-3
Diseño de Transistor
TO-3
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120
Corriente del Colector Continua
50A
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
300W
No. de Pines
2Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
18000
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
18000hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza MJ11033G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto