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MGSF1N03LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 2.1 A, 0.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF1N03LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark83H7318
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 53 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.228 |
| 6000+ | $0.213 |
| 9000+ | $0.209 |
| 15000+ | $0.204 |
| 30000+ | $0.200 |
| 75000+ | $0.196 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$684.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMGSF1N03LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark83H7318
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id2.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd730mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia730
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MGSF1N03LT1G es un MOSFET de potencia de montaje en superficie en miniatura de canal N con bajo RDS (ON) que garantiza una pérdida de potencia mínima y conserva la energía. El dispositivo es ideal para usar en circuitos de administración de energía sensibles al espacio. Es adecuado para convertidores de CD a CD, administración de energía en productos portátiles y que funcionan con baterías, como impresoras, tarjetas PCMCIA, teléfonos celulares e inalámbricos.
- Bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería
- El paquete de montaje en superficie en miniatura ahorra espacio en la tarjeta.
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
730mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
730
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MGSF1N03LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto