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KSB596YTU
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteKSB596YTU
No. Parte Newark46AC0926
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.862 |
| 500+ | $0.780 |
| 1000+ | $0.701 |
| 2500+ | $0.595 |
| 10000+ | $0.582 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteKSB596YTU
No. Parte Newark46AC0926
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua4
Corriente de Colector DC4A
Disipación de Potencia Pd30W
Disipación de Potencia30
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3
Ganancia de Corriente DC hFE120hFE
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.120
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
4A
Disipación de Potencia
30
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
120
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
30W
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
120hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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