Imprimir página
J112
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ112
No. Parte Newark58K8918
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,363 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.536 |
| 10+ | $0.360 |
| 100+ | $0.173 |
| 500+ | $0.157 |
| 1000+ | $0.142 |
| 2500+ | $0.141 |
| 10000+ | $0.131 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.54
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ112
No. Parte Newark58K8918
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3 Pines
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
J112 es un interruptor de canal N con orificio pasante en paquete TO-92. Este dispositivo está diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper.
- La fuente y el drenaje son intercambiables
- Voltaje de ruptura de puerta a fuente de 35V
- Voltaje de corte de puerta a fuente de 5V
- Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero de 5mA
- Disipación de potencia (Pd) de 350mW
- Temperatura de unión operativa de -55°C a 150°C
- Fuente de drenaje en resistencia de 50 Ohms
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Diseño de Transistor
TO-92
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza J112
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65