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J112-D26Z
Transistor JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pines, 150 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ112-D26Z
No. Parte Newark31Y2106
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.553 |
| 10+ | $0.379 |
| 25+ | $0.330 |
| 50+ | $0.281 |
| 100+ | $0.232 |
| 250+ | $0.222 |
| 500+ | $0.211 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ112-D26Z
No. Parte Newark31Y2106
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5
Diseño de TransistorTO-226AA
No. de Pines3 Pin
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The J112_D26Z is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Through Hole
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Diseño de Transistor
TO-226AA
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza J112-D26Z
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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