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J111
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark58M7829
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.437 |
| 6+ | $0.265 |
| 11+ | $0.141 |
| 101+ | $0.102 |
| 501+ | $0.0971 |
| 1001+ | $0.0922 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark58M7829
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero20mA
Disipación de Potencia625mW
Diseño de TransistorTO-92
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
No. de Pines3Pines
Tipo de CanalN Channel
Encapsulado de Transistor RF0
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
20mA
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3 Pin
No. de Pines
3Pines
Encapsulado de Transistor RF
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
35V
Disipación de Potencia
625mW
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
N Channel
Montaje de Transistor
Through Hole
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza J111
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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