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J109
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ109Copiar
No. Parte Newark58K1756
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero40
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-6
Diseño de TransistorTO-92
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El J109 es un conmutador de canal N. Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de conmutación digital con baja resistencia.
- Corriente de compuerta directa de 10 mA
- Disipación total de Dispositivos de 625mW
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-6
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
40
Diseño de Transistor
TO-92
Temperatura de Trabajo Máx.
150
No. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
