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HUF75652G3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75652G3
No. Parte Newark58K1615
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 60+ | $7.590 |
| 120+ | $7.490 |
| 270+ | $7.400 |
Precio para:Cada
Mínimo: 60
Múltiple: 30
$455.40
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75652G3
No. Parte Newark58K1615
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia de Activación Rds(on)0.0067ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0067
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd515W
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia515
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El HUF75652G3 es un MOSFET de potencia de canal N UltraFET con resistencia de ENCENDIDO ultrabaja.
- Corriente pico vs. curva de ancho de pulso
- Curva de calificación UIS
- Modelos de simulación: PSPICE® y SABRE™ con compensación de temperatura, impedancia térmica SPICE & SABRE
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0067ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
515W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0067
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
515
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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