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HUF75645P3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75645P3
No. Parte Newark58K1614
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $2.200 |
| 250+ | $1.930 |
| 500+ | $1.890 |
Precio para:Cada
Mínimo: 150
Múltiple: 50
$330.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHUF75645P3
No. Parte Newark58K1614
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd310W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia310
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
310W
Disipación de Potencia
310
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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