Imprimir página
HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
140 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.450 |
| 10+ | $1.670 |
| 25+ | $1.530 |
| 50+ | $1.380 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.45
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTD1N120BNS9A
No. Parte Newark31Y1823
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua5.3
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia60
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-252AA
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
5.3
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5
Disipación de Potencia
60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto