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HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTD1N120BNS9ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1823RL
Cinta adhesiva31Y1823
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.470 | $2.47 |
| Total Precio | $2.47 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.470 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.110 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.947 |
| 2500+ | $0.928 |
| 5000+ | $0.909 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTD1N120BNS9ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1823RL
Cinta adhesiva31Y1823
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua5.3
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-252AA
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Corriente del Colector Continua
5.3
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5
Disipación de Potencia
60
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto