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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQU8P10TUCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark54AH8781
Rango de ProductoQFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id6.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.53ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-251
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia44W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoQFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.53ohm
Diseño de Transistor
TO-251
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
QFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
44W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto