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FQT7N10LTF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT7N10LTFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87X8794RL
Cinta adhesiva87X8794
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 54 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.200 | $6.00 |
| Total Precio | $6.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.200 |
| 10+ | $0.880 |
| 15+ | $0.822 |
| 25+ | $0.763 |
| 50+ | $0.705 |
| 125+ | $0.646 |
| 250+ | $0.633 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQT7N10LTFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87X8794RL
Cinta adhesiva87X8794
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.7A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 5.8nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQT7N10LTF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto