FQPF5N60C.

El FQPF5N60C es un modo de mejora QFET® de canal N de 600V. El MOSFET de potencia se produce utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta tecnología avanzada se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir el pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico basado en la topología de medio puente. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

• Baja carga de compuerta
• Probado avalancha 100%
• Fiabilidad mejorada del sistema en PFC y topologías de conmutación suave
• Cambio de mejoras de pérdida
• Menor pérdida de conducción