Imprimir página
FQPF3N80C
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
15,500 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $1.610 |
| 500+ | $1.460 |
| 1000+ | $1.310 |
| 2500+ | $1.110 |
| 10000+ | $1.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 250
Múltiple: 50
$402.50
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF3N80CCopiar
No. Parte Newark84H4758
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4
Resistencia de Activación Rds(on)4ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd39W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Diseño de TransistorTO-220F
Disipación de Potencia39
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FQPF3N80C es un MOSFET de potencia de modo de mejora QFET® de canal N producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Carga baja de la puerta (13nC)
- Bajo Cruce (5.5pF)
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
39W
Diseño de Transistor
TO-220F
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
4ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
39
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
