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FQPF27P06
MOSFET, P CH, -60V, -17A, TO-220F-3
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark95W3219
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.130 |
| 10+ | $1.730 |
| 100+ | $1.580 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.520 |
| 2500+ | $1.490 |
| 5000+ | $1.450 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQPF27P06Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark95W3219
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.07ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia47W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.07ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
47W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQPF27P06
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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