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FQP47P06
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQP47P06Copiar
No. Parte Newark34C0498
Rango de ProductoSerie QFET
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $2.820 |
| 25+ | $2.750 |
| 50+ | $2.680 |
| 100+ | $2.610 |
| 250+ | $2.580 |
| 500+ | $2.550 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQP47P06Copiar
No. Parte Newark34C0498
Rango de ProductoSerie QFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id47A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd160W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia160W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de ProductoSerie QFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FQP47P06 es un MOSFET QFET® de canal P de -60 V producido con tecnología de banda plana y DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. El FQA46N15 es un MOSFET QFET® del canal N de 150 V producido con la tecnología de banda plana y DMOS de Fairchild Semiconductor.
- Carga baja de la puerta (típica 84nC)
- Bajo Cruce (320pF típico)
- Probado avalancha 100%
- Voltaje de compuerta a fuente de ±25V
- Resistencia térmica 62.5°C/W, unión a ambiente
- Resistencia térmica de 0.94°C/W, unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
160W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
47A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
Serie QFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
