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FQP27P06
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 27 A, 70 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQP27P06
No. Parte Newark58K1524
Rango de ProductoQFET Series
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQP27P06
No. Parte Newark58K1524
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id27
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd120W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia120
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoQFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The FQP27P06 is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
- Low gate charge is typically 33nC
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±25V
- Continuous drain current (Id) of -27A
- Power dissipation (Pd) of 120W
- Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
- Operating temperature range -55°C to 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
QFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
27
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
120W
Disipación de Potencia
120
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto