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FQD8P10TM-F085
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD8P10TM-F085
No. Parte Newark54AH8757
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD8P10TM-F085
No. Parte Newark54AH8757
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id6.6
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.53
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia44
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.53
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
44
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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