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FQD19N10LTM
MOSFET, N CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD19N10LTM
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1525
Cinta adhesiva31Y1525
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.010 |
| 25+ | $0.902 |
| 50+ | $0.792 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD19N10LTM
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1525
Cinta adhesiva31Y1525
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id15.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0.074ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.074ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia50W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQD19N10LTM es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 14nC
- Cruce bajo típico 35pF
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.074ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.074ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto