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FQD13N10LTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD13N10LTMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5050
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1523RL
Cinta adhesiva31Y1523
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3,124 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.130 | $1.13 |
| Total Precio | $1.13 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.130 |
| 50+ | $0.739 |
| 100+ | $0.519 |
| 250+ | $0.509 |
| 500+ | $0.498 |
| 1000+ | $0.488 |
| 2500+ | $0.477 |
| 5000+ | $0.467 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.407 |
| 3000+ | $0.399 |
| 6000+ | $0.375 |
| 12000+ | $0.357 |
| 18000+ | $0.338 |
| 30000+ | $0.327 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD13N10LTMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5050
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1523RL
Cinta adhesiva31Y1523
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia de Activación Rds(on)0.142ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia40W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FQD13N10LTM es un MOSFET de potencia de canal N en modo de mejora QFET® que se produce utilizando la banda plana y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Requisitos de accionamiento de compuerta de bajo nivel que permiten el funcionamiento directo desde controladores lógicos
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 8.7nC
- Cruce bajo típico 20pF
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.142ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FQD13N10LTM
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto