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FQD12N20LTM
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD12N20LTMCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06R2503
Cinta adhesiva06R2503
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.580 | $1.58 |
| Total Precio | $1.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.580 |
| 10+ | $1.040 |
| 25+ | $0.932 |
| 50+ | $0.829 |
| 100+ | $0.725 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD12N20LTMCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06R2503
Cinta adhesiva06R2503
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The FQD12N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% Avalanche tested
- 16nC Typical low gate charge
- 17pF Typical low Crss
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQD12N20LTM
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto