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FQB55N10
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB55N10
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31M5011
Cinta adhesiva31M5011
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Hoja de datos técnicos
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.90 |
| 10+ | $2.55 |
| 25+ | $2.31 |
| 50+ | $2.06 |
| 100+ | $1.79 |
| 250+ | $1.53 |
| 500+ | $1.40 |
| 1600+ | $1.33 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB55N10
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31M5011
Cinta adhesiva31M5011
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id55A
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd155W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia155W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FQB55N10 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección de factor de potencia activa (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 75nC
- Cruce bajo típico 130pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
155W
Disipación de Potencia
155W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza FQB55N10
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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Trazabilidad del producto