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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.433 |
| 10+ | $0.297 |
| 100+ | $0.211 |
| 500+ | $0.173 |
| 1000+ | $0.160 |
| 4000+ | $0.149 |
| 10000+ | $0.130 |
| 26000+ | $0.122 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.43
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFOD817ACopiar
No. Parte Newark60J0738
Hoja de datos técnicos
No. de Canales1 Canal
Estilo de la Carcasa del OptoacopladorDIP
No. de Pines4Pines
Corriente Directa If Máx.50
Voltaje de Aislamiento5
CTR Mín.80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo70
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual inline package.
Especificaciones técnicas
No. de Canales
1 Canal
No. de Pines
4Pines
Voltaje de Aislamiento
5
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
70
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Estilo de la Carcasa del Optoacoplador
DIP
Corriente Directa If Máx.
50
CTR Mín.
80
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FOD817A
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
